Poly Silicon──中文名稱為多晶矽，由許多為小的矽晶粒所組合而成的材料，是一種高純度、多晶型式的矽。不同於單晶矽和非晶矽，構成多晶矽的晶體稱為"微晶"。多晶矽的微晶粉通常大於1 毫米，為其帶來一種可見的「片狀金屬效應」。多晶矽主要用來作為太陽能光伏發電和電子工業的原料，多晶矽太陽能電池是所有太陽能電池中最常見的類型，並具有快速增長的光伏市場，也是消費量最大的全球性多晶矽產品。
在多晶矽的冶金過程中，當多晶矽完全成長、並從坩鍋內移除後，留在坩鍋底的剩料，就是"鍋底料"。此部分的矽原料含有較高的雜質濃度，阻值也較低。將鍋底料打碎並洗淨後，可以再溶解利用於各種低階矽產品的製作。
Silicon Wafer指的是矽半導體積體電路製作所用的矽晶圓，是生產積體電路所用的載體。晶圓的規格以其直徑來區分，越大的晶圓能乘載的積體電路就越多，生產成本也就越低，但同時也考驗了廠商的材料技術及生產技術。矽晶圓是最常見的半導體材料，並且被廣泛運用於各項高科技工業產品，包括集成電路，檢測器/傳感器器件，MEMS製造，光電元件和太陽能電池。
錦霆科技為您提供Bare Wafer、Test Wafer、Dummy Wafer等多種選擇。
| Size of Wafer | Silicon Bare Wafer 4” 6” 8” 12” |
|---|---|
| Type | Oxide Film / Aluminum Film |
| Film Thickness (A) | Oxide Film: 1000 Å ~20,000Å Aluminum Film: 1000Å~10,000Å |
矽晶圓製造時，會將多晶矽溶解，摻入一小粒的矽晶體晶種後將其慢慢拉出，形成的圓柱狀物體即為矽晶棒。 矽晶棒再經過切片、研磨、拋光後，即成為矽晶圓，其切片過程中所切除掉、頭尾部分的晶圓廢料便是"頭尾料"。與"鍋底料"相同，可以回收再利用於低階矽製品。
晶柱、晶棒
| Size of Wafer | Wafer Type Particle Control 4” 6” 8” 12” |
|---|---|
| 1 | Prime Wafer |
| 2 | New Monitor Wafer |
| 3 | New Test Wafer |
| 4 | New Spacer Wafer |
| 5 | Reclaimed Wafer |
| 6 | Spacer Wafer |
| 7 | Dummy Wafer |
| Item | 8” , 12” LPD , Particle Size (um) | 8”, 12” Particle counts (ea) |
|---|---|---|
| 1 | 0.026 | 100 |
| 2 | 0.037 | 100 |
| 3 | 0.045 | 100 |
| 4 | 0.09 | 50-100 |
| 5 | 0.12 | 50-100-200 |
| 6 | 0.2 | 50 |
| 7 | 0.3 | 30 |
| Size of Wafer | Silicon Bare Wafer 4” 6” 8” 12” |
|---|---|
| Type | P type / N type |
| Res | <0.1 ohm-cm/ 0~100ohm-cm / > 100ohm-cm |
| Thickness | 4” : 500~600um T 6” : 600~700um T 8”: 600~800 um T >12” : 500~1100 um T |
| Orientation | (100) |
| 光通信相關產品 | 低煙無鹵難燃PE光通信光纜外被材料/REXPEARL CR236GB/REXPEARL CR138GB |
| 產地: | 日本 |
| 製造廠商: | Japan Polyethylene Corporation Co. |
Optical Communication connectivity cleaning kits.綜合型錄
| 產地: | 日本 |
| 製造廠商: | NTT-AT |
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清潔工具
熔融石英即Fused silica，是氧化矽（石英，矽石）的非晶態（玻璃態）。它是典型的玻璃，其原子結構長程無序。它通過三維結構交叉連結提供其高使用溫度和低熱膨脹係數。
高純半絕緣型晶片是GaN功率器件關鍵材料
N型晶片是SiC電力電子器件的關鍵材料
4 英寸高純半絕緣晶圓 /4"
6 英寸高純半絕緣晶圓 /4"
4 英寸N型 4H-SiC Substrate /4"
6 英寸N型 4H-SiC Substrate /6"
6" N Type 4H-SiC N-type Epitaxial Wafer Specification
6" N Type 4H-SiC N-type Epitaxial Wafer Specification(650V)
6" N type 4H-SiC N-type Epitaxial Wafer Specification (1200V)
YCC 產品優勢
LITaO3.LINbO3
Al2O3
Diameter : 4", 6", 8"
